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Isoliertes Tor Bipolartransistor IGBT-Leistungsmodul Halbleitergerät für Wechselrichter

Isoliertes Tor Bipolartransistor IGBT-Leistungsmodul Halbleitergerät für Wechselrichter

MOQ: 1 Stück
Preis: ¥170 ~ 310
Standardverpackung: Karton
Lieferfrist: 3 Tage
Zahlungsmethode: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Lieferkapazität: 500-10000 pro Monat
Ausführliche Information
Markenname
ZFeng
Zertifizierung
CE、CB、CCC、ISO9001、ISO14001、ISO45001、EN61439、EN61000
Strom:
15 ~ 200 A
Hervorheben:

Umrichter-Igbt-Leistungsmodul

,

Halbleiter-IGBT-Leistungsmodul

,

Isoliertes Inverter-Igbt-Modul

Produkt-Beschreibung
ZFeng IGBT-Modul

IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor Modul) ist ein Leistungshalbleiter-Bauelementmodul, das mehrere IGBT-Chips, Freilaufdioden (FWDs) und zugehörige Ansteuerungs-/Schutzschaltungen integriert. Es wird häufig in der Leistungselektronik-Umwandlung und in Steuerungssystemen eingesetzt.

1. Kernkomponenten und Funktionsprinzipien
  • IGBT-Chips: Der Kern des Moduls, der die hohe Eingangsimpedanz von MOSFETs und den niedrigen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand von Bipolartransistoren kombiniert, was Hochgeschwindigkeitsschalten und geringe Verluste ermöglicht.
  • Freilaufdioden (FWDs): Werden antiparallel zu IGBTs geschaltet, um Energie freizusetzen, die in induktiven Lasten gespeichert ist, und verhindern so Spannungsspitzen, die Bauelemente beschädigen könnten.
  • Ansteuerungs- und Schutzschaltungen: Integriert mit Funktionen wie Signaltrennung, Überstrom-/Überspannungsschutz und Temperaturüberwachung, um einen stabilen Modulbetrieb zu gewährleisten.
  • Gehäusetechnologie: Verwendet Keramiksubstrate, Kupfergrundplatten usw., wodurch die thermische Leistung optimiert (Wärmewiderstand bis zu 0,1-0,2 K/W) und die elektrische Isolierung verbessert wird.
2. Technische Vorteile
  • Hohe Leistungsdichte: Das modulare Design erhöht die Leistungsfähigkeit pro Volumeneinheit erheblich. Beispielsweise ermöglichen die PrimePACK™-Module von Infineon Ausgangsleistungen von Hunderten von Kilowatt bis Megawatt.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Durch redundantes Design, Fehler-Selbstdiagnose und Wärmemanagementtechnologien erreichen Module in industriellen Anwendungen wie Frequenzumrichtern eine mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) von über 100.000 Stunden.
  • Benutzerfreundlichkeit: Eingebaute Ansteuerschaltungen vereinfachen das Systemdesign, sodass Benutzer Anwendungen schnell bereitstellen können, indem sie lediglich Steuersignale und Strom bereitstellen.
3. Typische Anwendungsszenarien
  • Industrieantriebe: Wird zur Drehzahlregelung von Motoren, zur Regelung von Lüftern/Pumpen verwendet.
  • Erzeugung erneuerbarer Energien: In Photovoltaik-Wechselrichtern wandeln IGBT-Module Gleichstrom in Wechselstrom für die Netzeinspeisung um.
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EINZELHEITEN ZU DEN PRODUKTEN
Isoliertes Tor Bipolartransistor IGBT-Leistungsmodul Halbleitergerät für Wechselrichter
MOQ: 1 Stück
Preis: ¥170 ~ 310
Standardverpackung: Karton
Lieferfrist: 3 Tage
Zahlungsmethode: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Lieferkapazität: 500-10000 pro Monat
Ausführliche Information
Markenname
ZFeng
Zertifizierung
CE、CB、CCC、ISO9001、ISO14001、ISO45001、EN61439、EN61000
Strom:
15 ~ 200 A
Min Bestellmenge:
1 Stück
Preis:
¥170 ~ 310
Verpackung Informationen:
Karton
Lieferzeit:
3 Tage
Zahlungsbedingungen:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500-10000 pro Monat
Hervorheben

Umrichter-Igbt-Leistungsmodul

,

Halbleiter-IGBT-Leistungsmodul

,

Isoliertes Inverter-Igbt-Modul

Produkt-Beschreibung
ZFeng IGBT-Modul

IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor Modul) ist ein Leistungshalbleiter-Bauelementmodul, das mehrere IGBT-Chips, Freilaufdioden (FWDs) und zugehörige Ansteuerungs-/Schutzschaltungen integriert. Es wird häufig in der Leistungselektronik-Umwandlung und in Steuerungssystemen eingesetzt.

1. Kernkomponenten und Funktionsprinzipien
  • IGBT-Chips: Der Kern des Moduls, der die hohe Eingangsimpedanz von MOSFETs und den niedrigen Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand von Bipolartransistoren kombiniert, was Hochgeschwindigkeitsschalten und geringe Verluste ermöglicht.
  • Freilaufdioden (FWDs): Werden antiparallel zu IGBTs geschaltet, um Energie freizusetzen, die in induktiven Lasten gespeichert ist, und verhindern so Spannungsspitzen, die Bauelemente beschädigen könnten.
  • Ansteuerungs- und Schutzschaltungen: Integriert mit Funktionen wie Signaltrennung, Überstrom-/Überspannungsschutz und Temperaturüberwachung, um einen stabilen Modulbetrieb zu gewährleisten.
  • Gehäusetechnologie: Verwendet Keramiksubstrate, Kupfergrundplatten usw., wodurch die thermische Leistung optimiert (Wärmewiderstand bis zu 0,1-0,2 K/W) und die elektrische Isolierung verbessert wird.
2. Technische Vorteile
  • Hohe Leistungsdichte: Das modulare Design erhöht die Leistungsfähigkeit pro Volumeneinheit erheblich. Beispielsweise ermöglichen die PrimePACK™-Module von Infineon Ausgangsleistungen von Hunderten von Kilowatt bis Megawatt.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Durch redundantes Design, Fehler-Selbstdiagnose und Wärmemanagementtechnologien erreichen Module in industriellen Anwendungen wie Frequenzumrichtern eine mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) von über 100.000 Stunden.
  • Benutzerfreundlichkeit: Eingebaute Ansteuerschaltungen vereinfachen das Systemdesign, sodass Benutzer Anwendungen schnell bereitstellen können, indem sie lediglich Steuersignale und Strom bereitstellen.
3. Typische Anwendungsszenarien
  • Industrieantriebe: Wird zur Drehzahlregelung von Motoren, zur Regelung von Lüftern/Pumpen verwendet.
  • Erzeugung erneuerbarer Energien: In Photovoltaik-Wechselrichtern wandeln IGBT-Module Gleichstrom in Wechselstrom für die Netzeinspeisung um.