logo
produits
EINZELHEITEN ZU DEN PRODUKTEN
Haus > Produits >
Isoliertes Tor Bipolartransistor IGBT-Leistungsmodul Halbleitergerät für Wechselrichter

Isoliertes Tor Bipolartransistor IGBT-Leistungsmodul Halbleitergerät für Wechselrichter

MOQ: 1 Stück
Price: ¥170 ~ 310
Standardverpackung: Karton
Lieferfrist: 3 Tage
Zahlungsmethode: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Lieferkapazität: 500-10000 pro Monat
Ausführliche Information
Markenname
ZFeng
Zertifizierung
CE、CB、CCC、ISO9001、ISO14001、ISO45001、EN61439、EN61000
Strom:
15 ~ 200 A
Hervorheben:

Umrichter-Igbt-Leistungsmodul

,

Halbleiter-IGBT-Leistungsmodul

,

Isoliertes Inverter-Igbt-Modul

Produkt-Beschreibung

ZFeng IGBT-Modul

 

IGBT-Modul (isoliertes Bipolartransistormodul)ist ein Leistungshalbleiter-Gerätemodul, das mehrere IGBT-Chips, Freirahtdioden (FWDs) und zugehörige Antriebs-/Schutzschaltkreise integriert.Es wird weitgehend in Leistungselektronikkonvertierungs- und Steuerungssystemen verwendet.

 

1Kernkomponenten und Betriebsprinzipien

  • IGBT-Chips: Der Kern des Moduls, der die hohe Eingangsimpedanz von MOSFETs und den geringen On-State-Spannungsabfall von bipolaren Transistoren kombiniert, was ein schnelles Schalten und geringe Verluste ermöglicht.
  • mit einer Leistung von mehr als 1000 W und: Anti-parallel mit IGBTs verbunden, um in induktiven Belastungen gespeicherte Energie freizusetzen und Spannungsspitzen zu verhindern, die Geräte beschädigen.
  • Antriebs- und Schutzkreise: Integriert mit Funktionen wie Signalisolation, Überstrom-/Overspannungsschutz und Temperaturüberwachung, um einen stabilen Modulbetrieb zu gewährleisten.
  • Verpackungstechnik: Verwendet keramische Substrate, Kupferplatten usw., die thermische Leistung optimieren (Wärmewiderstand bis zu 0,1 K/W) und die elektrische Isolierung verbessern.

2. Technische Vorteile

  • Hohe Leistungsdichte: Moduläres Design erhöht die Leistungsfähigkeit pro Volumenstück erheblich.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Durch redundantes Design, Fehler-Selbstdiagnose und thermische Managementtechnologien erreichen die Module eine mittlere Zeit zwischen Ausfällen (MTBF) von mehr als 100,000 Stunden in industriellen Anwendungen wie Variable Frequency Drives.
  • Einfache Benutzung: Eingebaute Antriebsschaltkreise vereinfachen das Systemdesign und ermöglichen es Benutzern, Anwendungen schnell einzusetzen, indem sie nur Steuersignale und Strom liefern.

3Typische Anwendungsfälle

  • Industrieantriebe: Verwendet bei der Drehzahlregelung, der Lüfter-/Pumpenregelung.
  • Erzeugung erneuerbarer Energien: In Photovoltaik-Wechselrichter umwandeln IGBT-Module Gleichstrom in Wechselstrom für die Netzintegration.
produits
EINZELHEITEN ZU DEN PRODUKTEN
Isoliertes Tor Bipolartransistor IGBT-Leistungsmodul Halbleitergerät für Wechselrichter
MOQ: 1 Stück
Price: ¥170 ~ 310
Standardverpackung: Karton
Lieferfrist: 3 Tage
Zahlungsmethode: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Lieferkapazität: 500-10000 pro Monat
Ausführliche Information
Markenname
ZFeng
Zertifizierung
CE、CB、CCC、ISO9001、ISO14001、ISO45001、EN61439、EN61000
Strom:
15 ~ 200 A
Min Bestellmenge:
1 Stück
Preis:
¥170 ~ 310
Verpackung Informationen:
Karton
Lieferzeit:
3 Tage
Zahlungsbedingungen:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
500-10000 pro Monat
Hervorheben

Umrichter-Igbt-Leistungsmodul

,

Halbleiter-IGBT-Leistungsmodul

,

Isoliertes Inverter-Igbt-Modul

Produkt-Beschreibung

ZFeng IGBT-Modul

 

IGBT-Modul (isoliertes Bipolartransistormodul)ist ein Leistungshalbleiter-Gerätemodul, das mehrere IGBT-Chips, Freirahtdioden (FWDs) und zugehörige Antriebs-/Schutzschaltkreise integriert.Es wird weitgehend in Leistungselektronikkonvertierungs- und Steuerungssystemen verwendet.

 

1Kernkomponenten und Betriebsprinzipien

  • IGBT-Chips: Der Kern des Moduls, der die hohe Eingangsimpedanz von MOSFETs und den geringen On-State-Spannungsabfall von bipolaren Transistoren kombiniert, was ein schnelles Schalten und geringe Verluste ermöglicht.
  • mit einer Leistung von mehr als 1000 W und: Anti-parallel mit IGBTs verbunden, um in induktiven Belastungen gespeicherte Energie freizusetzen und Spannungsspitzen zu verhindern, die Geräte beschädigen.
  • Antriebs- und Schutzkreise: Integriert mit Funktionen wie Signalisolation, Überstrom-/Overspannungsschutz und Temperaturüberwachung, um einen stabilen Modulbetrieb zu gewährleisten.
  • Verpackungstechnik: Verwendet keramische Substrate, Kupferplatten usw., die thermische Leistung optimieren (Wärmewiderstand bis zu 0,1 K/W) und die elektrische Isolierung verbessern.

2. Technische Vorteile

  • Hohe Leistungsdichte: Moduläres Design erhöht die Leistungsfähigkeit pro Volumenstück erheblich.
  • Hohe Zuverlässigkeit: Durch redundantes Design, Fehler-Selbstdiagnose und thermische Managementtechnologien erreichen die Module eine mittlere Zeit zwischen Ausfällen (MTBF) von mehr als 100,000 Stunden in industriellen Anwendungen wie Variable Frequency Drives.
  • Einfache Benutzung: Eingebaute Antriebsschaltkreise vereinfachen das Systemdesign und ermöglichen es Benutzern, Anwendungen schnell einzusetzen, indem sie nur Steuersignale und Strom liefern.

3Typische Anwendungsfälle

  • Industrieantriebe: Verwendet bei der Drehzahlregelung, der Lüfter-/Pumpenregelung.
  • Erzeugung erneuerbarer Energien: In Photovoltaik-Wechselrichter umwandeln IGBT-Module Gleichstrom in Wechselstrom für die Netzintegration.